SI5511DC-T1-E3
제조 업체: | Vishay / Siliconix |
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제품 카테고리: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
데이터 시트: | SI5511DC-T1-E3 |
설명: | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 |
RoHS 상태: | RoHS 준수 |
특성 | 특성 값 |
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제조업체 | Vishay / Siliconix |
제품 카테고리 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
시리즈 | TrenchFET® |
FET 유형 | N and P-Channel |
포장 | Digi-Reel® |
FET 기능 | Logic Level Gate |
부품 상태 | Obsolete |
전원 - 최대 | 3.1W, 2.6W |
마운팅 타입 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | 8-SMD, Flat Lead |
기본 부품 번호 | SI5511 |
Vgs(th) (최대) @ Id | 2V @ 250µA |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 4.8A, 4.5V |
공급업체 장치 패키지 | 1206-8 ChipFET™ |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 7.1nC @ 5V |
소스 전압(Vds)으로 의회비 | 30V |
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds | 435pF @ 15V |
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C | 4A, 3.6A |
재고 65 pcs
굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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최소: 1