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SI5509DC-T1-E3

제조 업체:	Vishay / Siliconix
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
데이터 시트:	SI5509DC-T1-E3
설명:	MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Vishay / Siliconix
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
시리즈	TrenchFET®
FET 유형	N and P-Channel
포장	Digi-Reel®
FET 기능	Logic Level Gate
부품 상태	Obsolete
전원 - 최대	4.5W
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	8-SMD, Flat Lead
기본 부품 번호	SI5509
Vgs(th) (최대) @ Id	2V @ 250µA
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	52mOhm @ 5A, 4.5V
공급업체 장치 패키지	1206-8 ChipFET™
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	6.6nC @ 5V
소스 전압(Vds)으로 의회비	20V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	455pF @ 10V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	6.1A, 4.8A