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MT3S111P(TE12L,F)

제조 업체:	Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리:	Transistors - Bipolar (BJT) - RF
데이터 시트:	MT3S111P(TE12L,F)
설명:	RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리	Transistors - Bipolar (BJT) - RF
이득	10.5dB
시리즈	-
포장	Digi-Reel®
부품 상태	Active
전원 - 최대	1W
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	TO-243AA
트랜지스터 타입	NPN
작동 온도	150°C (TJ)
주파수 - 전이	8GHz
공급업체 장치 패키지	PW-MINI
노이즈 피규어 (dB Typ @ f)	1.25dB @ 1GHz
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대)	100mA
DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce	200 @ 30mA, 5V
전압 - 수집기 방출기 고장 (최대)	6V