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MT3S113TU,LF

제조 업체: Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
데이터 시트: MT3S113TU,LF
설명: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리 Transistors - Bipolar (BJT) - RF
이득 12.5dB
시리즈 -
포장 Digi-Reel®
부품 상태 Active
전원 - 최대 900mW
마운팅 타입 Surface Mount
패키지 / 케이스 3-SMD, Flat Leads
트랜지스터 타입 NPN
작동 온도 150°C (TJ)
주파수 - 전이 11.2GHz
공급업체 장치 패키지 UFM
노이즈 피규어 (dB Typ @ f) 1.45dB @ 1GHz
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) 100mA
DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
전압 - 수집기 방출기 고장 (최대) 5.3V

재고 5960 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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최소: 1

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