Image is for reference only , details as Specifications

MT3S113TU,LF

제조 업체:	Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리:	Transistors - Bipolar (BJT) - RF
데이터 시트:	MT3S113TU,LF
설명:	RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리	Transistors - Bipolar (BJT) - RF
이득	12.5dB
시리즈	-
포장	Digi-Reel®
부품 상태	Active
전원 - 최대	900mW
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	3-SMD, Flat Leads
트랜지스터 타입	NPN
작동 온도	150°C (TJ)
주파수 - 전이	11.2GHz
공급업체 장치 패키지	UFM
노이즈 피규어 (dB Typ @ f)	1.45dB @ 1GHz
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대)	100mA
DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce	200 @ 30mA, 5V
전압 - 수집기 방출기 고장 (최대)	5.3V