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ALD212900ASAL

제조 업체:	Advanced Linear Devices, Inc.
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
데이터 시트:	ALD212900ASAL
설명:	MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Advanced Linear Devices, Inc.
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
시리즈	EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형	2 N-Channel (Dual) Matched Pair
포장	Tube
FET 기능	Logic Level Gate
부품 상태	Active
전원 - 최대	500mW
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (최대) @ Id	10mV @ 20µA
작동 온도	0°C ~ 70°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	14Ohm
공급업체 장치 패키지	8-SOIC
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	-
소스 전압(Vds)으로 의회비	10.6V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	30pF @ 5V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	80mA