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ALD114913PAL

제조 업체:	Advanced Linear Devices, Inc.
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
데이터 시트:	ALD114913PAL
설명:	MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Advanced Linear Devices, Inc.
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
시리즈	EPAD®
FET 유형	2 N-Channel (Dual) Matched Pair
포장	Tube
FET 기능	Depletion Mode
부품 상태	Active
전원 - 최대	500mW
마운팅 타입	Through Hole
패키지 / 케이스	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs(th) (최대) @ Id	1.26V @ 1µA
작동 온도	0°C ~ 70°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	500Ohm @ 2.7V
공급업체 장치 패키지	8-PDIP
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	-
소스 전압(Vds)으로 의회비	10.6V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	2.5pF @ 5V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	12mA, 3mA