SIZF920DT-T1-GE3
제조 업체: | Vishay / Siliconix |
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제품 카테고리: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
데이터 시트: | SIZF920DT-T1-GE3 |
설명: | MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5 |
RoHS 상태: | RoHS 준수 |
특성 | 특성 값 |
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제조업체 | Vishay / Siliconix |
제품 카테고리 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
시리즈 | TrenchFET® Gen IV |
FET 유형 | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
포장 | Digi-Reel® |
FET 기능 | Standard |
부품 상태 | Active |
전원 - 최대 | 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) |
마운팅 타입 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | 8-PowerWDFN |
Vgs(th) (최대) @ Id | 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs | 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V |
공급업체 장치 패키지 | 8-PowerPair® (6x5) |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 29nC @ 10V, 125nC @ 10V |
소스 전압(Vds)으로 의회비 | 30V |
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds | 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V |
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C | 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc) |
재고 50 pcs
굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
최소: 1