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SIZF906DT-T1-GE3

제조 업체: Vishay / Siliconix
제품 카테고리: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
데이터 시트: SIZF906DT-T1-GE3
설명: MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 Vishay / Siliconix
제품 카테고리 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
시리즈 TrenchFET® Gen IV
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
포장 Cut Tape (CT)
FET 기능 Standard
부품 상태 Active
전원 - 최대 38W (Tc), 83W (Tc)
마운팅 타입 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-PowerWDFN
Vgs(th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TA)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
공급업체 장치 패키지 8-PowerPair® (6x5)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
소스 전압(Vds)으로 의회비 30V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C 60A (Tc)

재고 3473 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.64 $1.61 $1.58
최소: 1

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