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SIZF906DT-T1-GE3

제조 업체:	Vishay / Siliconix
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
데이터 시트:	SIZF906DT-T1-GE3
설명:	MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Vishay / Siliconix
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
시리즈	TrenchFET® Gen IV
FET 유형	2 N-Channel (Dual)
포장	Cut Tape (CT)
FET 기능	Standard
부품 상태	Active
전원 - 최대	38W (Tc), 83W (Tc)
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	8-PowerWDFN
Vgs(th) (최대) @ Id	2.2V @ 250µA
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TA)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
공급업체 장치 패키지	8-PowerPair® (6x5)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
소스 전압(Vds)으로 의회비	30V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	60A (Tc)