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SIZ998DT-T1-GE3

제조 업체:	Vishay / Siliconix
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
데이터 시트:	SIZ998DT-T1-GE3
설명:	MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Vishay / Siliconix
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
시리즈	TrenchFET®
FET 유형	2 N-Channel (Dual), Schottky
포장	Digi-Reel®
FET 기능	Standard
부품 상태	Active
전원 - 최대	20.2W, 32.9W
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	8-PowerWDFN
Vgs(th) (최대) @ Id	2.2V @ 250µA
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
공급업체 장치 패키지	8-PowerPair®
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
소스 전압(Vds)으로 의회비	30V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	20A (Tc), 60A (Tc)