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SISS66DN-T1-GE3

제조 업체: Vishay / Siliconix
제품 카테고리: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트: SISS66DN-T1-GE3
설명: MOSFET N-CH 30V W/SCHOTTKY PP 12
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 Vishay / Siliconix
제품 카테고리 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈 TrenchFET® Gen IV
FET 유형 N-Channel
포장 Digi-Reel®
Vgs (최대) +20V, -16V
기술 MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능 Schottky Diode (Body)
부품 상태 Active
마운팅 타입 Surface Mount
패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs 1.38mOhm @ 20A, 10V
전원 소멸 (최대) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8S
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 85.5nC @ 10V
소스 전압(Vds)으로 의회비 30V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds 3327pF @ 15V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C 49.1A (Ta), 178.3A (Tc)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기) 4.5V, 10V

재고 50 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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