이미지는 참조용으로만 제공되며 제품 사양 참조
SISS66DN-T1-GE3
| 제조 업체: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| 제품 카테고리: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 데이터 시트: | SISS66DN-T1-GE3 |
| 설명: | MOSFET N-CH 30V W/SCHOTTKY PP 12 |
| RoHS 상태: | RoHS 준수 |
| 특성 | 특성 값 |
|---|---|
| 제조업체 | Vishay / Siliconix |
| 제품 카테고리 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 시리즈 | TrenchFET® Gen IV |
| FET 유형 | N-Channel |
| 포장 | Digi-Reel® |
| Vgs (최대) | +20V, -16V |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET 기능 | Schottky Diode (Body) |
| 부품 상태 | Active |
| 마운팅 타입 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® 1212-8S |
| Vgs(th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| RDS 온 (최대) @ Id, Vgs | 1.38mOhm @ 20A, 10V |
| 전원 소멸 (최대) | 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) |
| 공급업체 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8S |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 85.5nC @ 10V |
| 소스 전압(Vds)으로 의회비 | 30V |
| 입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds | 3327pF @ 15V |
| 전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C | 49.1A (Ta), 178.3A (Tc) |
| 구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기) | 4.5V, 10V |
재고 50 pcs
| 굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
최소: 1
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