Image is for reference only , details as Specifications

SISS30DN-T1-GE3

제조 업체:	Vishay / Siliconix
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트:	SISS30DN-T1-GE3
설명:	MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK 1212
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Vishay / Siliconix
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈	TrenchFET® Gen IV
FET 유형	N-Channel
포장	Digi-Reel®
Vgs (최대)	±20V
기술	MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능	-
부품 상태	Active
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (최대) @ Id	3.8V @ 250µA
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	8.25mOhm @ 10A, 10V
전원 소멸 (최대)	4.8W (Ta), 57W (Tc)
공급업체 장치 패키지	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	40nC @ 10V
소스 전압(Vds)으로 의회비	80V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	1666pF @ 10V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기)	7.5V, 10V