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SISF20DN-T1-GE3

제조 업체:	Vishay / Siliconix
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
데이터 시트:	SISF20DN-T1-GE3
설명:	MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Vishay / Siliconix
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
시리즈	TrenchFET® Gen IV
FET 유형	2 N-Channel (Dual)
포장	Cut Tape (CT)
FET 기능	Standard
부품 상태	Active
전원 - 최대	5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	PowerPAK® 1212-8SCD
Vgs(th) (최대) @ Id	3V @ 250µA
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	13mOhm @ 7A, 10V
공급업체 장치 패키지	PowerPAK® 1212-8SCD
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	33nC @ 10V
소스 전압(Vds)으로 의회비	60V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	1290pF @ 30V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	14A (Ta), 52A (Tc)