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SIRC10DP-T1-GE3

제조 업체:	Vishay / Siliconix
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트:	SIRC10DP-T1-GE3
설명:	MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Vishay / Siliconix
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈	TrenchFET® Gen IV
FET 유형	N-Channel
포장	Cut Tape (CT)
Vgs (최대)	+20V, -16V
기술	MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능	Schottky Diode (Body)
부품 상태	Active
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (최대) @ Id	2.4V @ 250µA
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 10A, 10V
전원 소멸 (최대)	43W (Tc)
공급업체 장치 패키지	PowerPAK® SO-8
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	36nC @ 10V
소스 전압(Vds)으로 의회비	30V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	1873pF @ 15V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	60A (Tc)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기)	4.5V, 10V