SIRB40DP-T1-GE3
제조 업체: | Vishay / Siliconix |
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제품 카테고리: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
데이터 시트: | SIRB40DP-T1-GE3 |
설명: | MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 |
RoHS 상태: | RoHS 준수 |
특성 | 특성 값 |
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제조업체 | Vishay / Siliconix |
제품 카테고리 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
시리즈 | TrenchFET® |
FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
포장 | Digi-Reel® |
FET 기능 | Standard |
부품 상태 | Active |
전원 - 최대 | 46.2W |
마운팅 타입 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 Dual |
Vgs(th) (최대) @ Id | 2.4V @ 250µA |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs | 3.25mOhm @ 10A, 10V |
공급업체 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 Dual |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 45nC @ 4.5V |
소스 전압(Vds)으로 의회비 | 40V |
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds | 4290pF @ 20V |
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C | 40A (Tc) |
재고 89 pcs
굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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최소: 1