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SIR814DP-T1-GE3

제조 업체: Vishay / Siliconix
제품 카테고리: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트: SIR814DP-T1-GE3
설명: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 Vishay / Siliconix
제품 카테고리 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈 TrenchFET®
FET 유형 N-Channel
포장 Tape & Reel (TR)
Vgs (최대) ±20V
기술 MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능 -
부품 상태 Obsolete
마운팅 타입 Surface Mount
패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (최대) @ Id 2.3V @ 250µA
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 20A, 10V
전원 소멸 (최대) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 86nC @ 10V
소스 전압(Vds)으로 의회비 40V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds 3800pF @ 20V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C 60A (Tc)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기) 4.5V, 10V

재고 57 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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최소: 1

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