SIR616DP-T1-GE3
제조 업체: | Vishay / Siliconix |
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제품 카테고리: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
데이터 시트: | SIR616DP-T1-GE3 |
설명: | MOSFET N-CH 200V 20.2A SO-8 |
RoHS 상태: | RoHS 준수 |
특성 | 특성 값 |
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제조업체 | Vishay / Siliconix |
제품 카테고리 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
시리즈 | ThunderFET® |
FET 유형 | N-Channel |
포장 | Digi-Reel® |
Vgs (최대) | ±20V |
기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
FET 기능 | - |
부품 상태 | Active |
마운팅 타입 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 |
Vgs(th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs | 50.5mOhm @ 10A, 10V |
전원 소멸 (최대) | 52W (Tc) |
공급업체 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 28nC @ 7.5V |
소스 전압(Vds)으로 의회비 | 200V |
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds | 1450pF @ 100V |
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C | 20.2A (Tc) |
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기) | 7.5V, 10V |
재고 501 pcs
굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
최소: 1