이미지는 참조용으로만 제공되며 제품 사양 참조
SIHD2N80E-GE3
| 제조 업체: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| 제품 카테고리: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 데이터 시트: | SIHD2N80E-GE3 |
| 설명: | MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK |
| RoHS 상태: | RoHS 준수 |
| 특성 | 특성 값 |
|---|---|
| 제조업체 | Vishay / Siliconix |
| 제품 카테고리 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 시리즈 | E |
| FET 유형 | N-Channel |
| 포장 | Cut Tape (CT) |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET 기능 | - |
| 부품 상태 | Active |
| 마운팅 타입 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| RDS 온 (최대) @ Id, Vgs | 2.75Ohm @ 1A, 10V |
| 전원 소멸 (최대) | 62.5W (Tc) |
| 공급업체 장치 패키지 | D-PAK (TO-252AA) |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 19.6nC @ 10V |
| 소스 전압(Vds)으로 의회비 | 800V |
| 입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds | 315pF @ 100V |
| 전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C | 2.8A (Tc) |
| 구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기) | 10V |
재고 1401 pcs
| 굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.35 | $1.32 | $1.30 |
최소: 1
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