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SIHB12N60ET5-GE3

제조 업체:	Vishay / Siliconix
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트:	SIHB12N60ET5-GE3
설명:	MOSFET N-CH 600V 12A TO263
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Vishay / Siliconix
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈	E
FET 유형	N-Channel
포장	Bulk
Vgs (최대)	±30V
기술	MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능	-
부품 상태	Active
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (최대) @ Id	4V @ 250µA
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	380mOhm @ 6A, 10V
전원 소멸 (최대)	147W (Tc)
공급업체 장치 패키지	TO-263 (D²Pak)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	58nC @ 10V
소스 전압(Vds)으로 의회비	600V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	937pF @ 100V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	12A (Tc)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기)	10V