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SI7119DN-T1-GE3

제조 업체: Vishay / Siliconix
제품 카테고리: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트: SI7119DN-T1-GE3
설명: MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 Vishay / Siliconix
제품 카테고리 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈 TrenchFET®
FET 유형 P-Channel
포장 Digi-Reel®
Vgs (최대) ±20V
기술 MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능 -
부품 상태 Active
마운팅 타입 Surface Mount
패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (최대) @ Id 4V @ 250µA
작동 온도 -50°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 1A, 10V
전원 소멸 (최대) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 10V
소스 전압(Vds)으로 의회비 200V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds 666pF @ 50V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C 3.8A (Tc)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기) 6V, 10V

재고 162217 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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최소: 1

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