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SI5511DC-T1-GE3

제조 업체: Vishay / Siliconix
제품 카테고리: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
데이터 시트: SI5511DC-T1-GE3
설명: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 Vishay / Siliconix
제품 카테고리 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
시리즈 TrenchFET®
FET 유형 N and P-Channel
포장 Digi-Reel®
FET 기능 Logic Level Gate
부품 상태 Obsolete
전원 - 최대 3.1W, 2.6W
마운팅 타입 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead
기본 부품 번호 SI5511
Vgs(th) (최대) @ Id 2V @ 250µA
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.8A, 4.5V
공급업체 장치 패키지 1206-8 ChipFET™
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.1nC @ 5V
소스 전압(Vds)으로 의회비 30V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds 435pF @ 15V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C 4A, 3.6A

재고 87 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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최소: 1

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