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SI4931DY-T1-GE3

제조 업체:	Vishay / Siliconix
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
데이터 시트:	SI4931DY-T1-GE3
설명:	MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Vishay / Siliconix
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
시리즈	TrenchFET®
FET 유형	2 P-Channel (Dual)
포장	Digi-Reel®
FET 기능	Logic Level Gate
부품 상태	Active
전원 - 최대	1.1W
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
기본 부품 번호	SI4931
Vgs(th) (최대) @ Id	1V @ 350µA
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	18mOhm @ 8.9A, 4.5V
공급업체 장치 패키지	8-SO
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	52nC @ 4.5V
소스 전압(Vds)으로 의회비	12V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	-
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	6.7A