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SI3900DV-T1-E3

제조 업체:	Vishay / Siliconix
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
데이터 시트:	SI3900DV-T1-E3
설명:	MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Vishay / Siliconix
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
시리즈	TrenchFET®
FET 유형	2 N-Channel (Dual)
포장	Digi-Reel®
FET 기능	Logic Level Gate
부품 상태	Active
전원 - 최대	830mW
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
기본 부품 번호	SI3900
Vgs(th) (최대) @ Id	1.5V @ 250µA
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	125mOhm @ 2.4A, 4.5V
공급업체 장치 패키지	6-TSOP
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	4nC @ 4.5V
소스 전압(Vds)으로 의회비	20V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	-
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	2A