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SI2316DS-T1-GE3

제조 업체: Vishay / Siliconix
제품 카테고리: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트: SI2316DS-T1-GE3
설명: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 Vishay / Siliconix
제품 카테고리 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈 TrenchFET®
FET 유형 N-Channel
포장 Tape & Reel (TR)
Vgs (최대) ±20V
기술 MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능 -
부품 상태 Active
마운팅 타입 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (최대) @ Id 800mV @ 250µA (Min)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.4A, 10V
전원 소멸 (최대) 700mW (Ta)
공급업체 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7nC @ 10V
소스 전압(Vds)으로 의회비 30V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds 215pF @ 15V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C 2.9A (Ta)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기) 4.5V, 10V

재고 54 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.26 $0.25 $0.25
최소: 1

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