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SI2311DS-T1-E3

제조 업체:	Vishay / Siliconix
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트:	SI2311DS-T1-E3
설명:	MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Vishay / Siliconix
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈	TrenchFET®
FET 유형	P-Channel
포장	Tape & Reel (TR)
Vgs (최대)	±8V
기술	MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능	-
부품 상태	Obsolete
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (최대) @ Id	800mV @ 250µA
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	45mOhm @ 3.5A, 4.5V
전원 소멸 (최대)	710mW (Ta)
공급업체 장치 패키지	SOT-23-3
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	12nC @ 4.5V
소스 전압(Vds)으로 의회비	8V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	970pF @ 4V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	3A (Ta)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기)	1.8V, 4.5V