IRFD224PBF
제조 업체: | Vishay / Siliconix |
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제품 카테고리: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
데이터 시트: | IRFD224PBF |
설명: | MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP |
RoHS 상태: | RoHS 준수 |
특성 | 특성 값 |
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제조업체 | Vishay / Siliconix |
제품 카테고리 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
시리즈 | - |
FET 유형 | N-Channel |
포장 | Tube |
Vgs (최대) | ±20V |
기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
FET 기능 | - |
부품 상태 | Active |
마운팅 타입 | Through Hole |
패키지 / 케이스 | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Vgs(th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 380mA, 10V |
전원 소멸 (최대) | 1W (Ta) |
공급업체 장치 패키지 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 14nC @ 10V |
소스 전압(Vds)으로 의회비 | 250V |
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds | 260pF @ 25V |
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C | 630mA (Ta) |
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기) | 10V |
재고 2500 pcs
굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.42 | $1.39 | $1.36 |
최소: 1