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IRFD224PBF

제조 업체: Vishay / Siliconix
제품 카테고리: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트: IRFD224PBF
설명: MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 Vishay / Siliconix
제품 카테고리 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈 -
FET 유형 N-Channel
포장 Tube
Vgs (최대) ±20V
기술 MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능 -
부품 상태 Active
마운팅 타입 Through Hole
패키지 / 케이스 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs(th) (최대) @ Id 4V @ 250µA
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 380mA, 10V
전원 소멸 (최대) 1W (Ta)
공급업체 장치 패키지 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14nC @ 10V
소스 전압(Vds)으로 의회비 250V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds 260pF @ 25V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C 630mA (Ta)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기) 10V

재고 2500 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.42 $1.39 $1.36
최소: 1

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