SE10FJ-M3/I
제조 업체: | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
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제품 카테고리: | Diodes - Rectifiers - Single |
데이터 시트: | SE10FJ-M3/I |
설명: | DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB |
RoHS 상태: | RoHS 준수 |
특성 | 특성 값 |
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제조업체 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
제품 카테고리 | Diodes - Rectifiers - Single |
속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
시리즈 | - |
포장 | Tape & Reel (TR) |
다이오드 타입 | Standard |
부품 상태 | Active |
마운팅 타입 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | DO-219AB |
커패시턴스 @ VR, F | 7.5pF @ 4V, 1MHz |
공급업체 장치 패키지 | DO-219AB (SMF) |
역복구 시간(trr) | 780ns |
현재 - 역 누설 @ Vr | 5µA @ 600V |
전압 - DC 역방향(Vr) (최대) | 600V |
현재 - 평균 정류(Io) | 1A |
작동 온도 - 정션 | -55°C ~ 175°C |
전압 - 앞으로 (Vf) (최대) @ 경우 | 1.05V @ 1A |
재고 81 pcs
굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.07 | $0.07 | $0.07 |
최소: 1