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1N6483HE3/97
| 제조 업체: | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
|---|---|
| 제품 카테고리: | Diodes - Rectifiers - Single |
| 데이터 시트: | 1N6483HE3/97 |
| 설명: | DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB |
| RoHS 상태: | RoHS 준수 |
| 특성 | 특성 값 |
|---|---|
| 제조업체 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| 제품 카테고리 | Diodes - Rectifiers - Single |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 시리즈 | SUPERECTIFIER® |
| 포장 | Tape & Reel (TR) |
| 다이오드 타입 | Standard |
| 부품 상태 | Active |
| 마운팅 타입 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-213AB, MELF (Glass) |
| 기본 부품 번호 | 1N6483 |
| 커패시턴스 @ VR, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| 공급업체 장치 패키지 | DO-213AB |
| 현재 - 역 누설 @ Vr | 10µA @ 800V |
| 전압 - DC 역방향(Vr) (최대) | 800V |
| 현재 - 평균 정류(Io) | 1A |
| 작동 온도 - 정션 | -65°C ~ 175°C |
| 전압 - 앞으로 (Vf) (최대) @ 경우 | 1.1V @ 1A |
재고 96 pcs
| 굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.11 | $0.11 | $0.11 |
최소: 1
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