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TPH3205WSBQA

제조 업체:	Transphorm
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트:	TPH3205WSBQA
설명:	GANFET N-CH 650V 35A TO247
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Transphorm
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈	Automotive, AEC-Q101
FET 유형	N-Channel
포장	Tube
Vgs (최대)	±18V
기술	GaNFET (Gallium Nitride)
FET 기능	-
부품 상태	Active
마운팅 타입	Through Hole
패키지 / 케이스	TO-247-3
Vgs(th) (최대) @ Id	2.6V @ 700µA
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	62mOhm @ 22A, 8V
전원 소멸 (최대)	125W (Tc)
공급업체 장치 패키지	TO-247-3
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	42nC @ 8V
소스 전압(Vds)으로 의회비	650V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	2200pF @ 400V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	35A (Tc)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기)	10V