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TK39J60W,S1VQ

제조 업체:	Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트:	TK39J60W,S1VQ
설명:	MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈	DTMOSIV
FET 유형	N-Channel
포장	Tube
Vgs (최대)	±30V
기술	MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능	Super Junction
부품 상태	Active
마운팅 타입	Through Hole
패키지 / 케이스	TO-3P-3, SC-65-3
Vgs(th) (최대) @ Id	3.7V @ 1.9mA
작동 온도	150°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	65mOhm @ 19.4A, 10V
전원 소멸 (최대)	270W (Tc)
공급업체 장치 패키지	TO-3P(N)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	110nC @ 10V
소스 전압(Vds)으로 의회비	600V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	4100pF @ 300V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	38.8A (Ta)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기)	10V