Image is for reference only , details as Specifications

TK160F10N1L,LQ

제조 업체:	Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트:	TK160F10N1L,LQ
설명:	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈	U-MOSVIII-H
FET 유형	N-Channel
Vgs (최대)	±20V
기술	MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능	-
부품 상태	Active
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (최대) @ Id	3.5V @ 1mA
작동 온도	175°C
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	2.4mOhm @ 80A, 10V
전원 소멸 (최대)	375W (Tc)
공급업체 장치 패키지	TO-220SM(W)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	122nC @ 10V
소스 전압(Vds)으로 의회비	100V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	10100pF @ 10V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	160A (Ta)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기)	6V, 10V