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RN2106ACT(TPL3)

제조 업체:	Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
데이터 시트:	RN2106ACT(TPL3)
설명:	TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
시리즈	-
포장	Digi-Reel®
부품 상태	Discontinued at Digi-Key
전원 - 최대	100mW
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	SC-101, SOT-883
트랜지스터 타입	PNP - Pre-Biased
저항기 - 베이스 (R1)	4.7 kOhms
공급업체 장치 패키지	CST3
저항기 - 이미터 베이스 (R2)	47 kOhms
Vce 채도 (최대) @ Ib, Ic	150mV @ 250µA, 5mA
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대)	80mA
현재 - 컬렉터 컷오프(최대)	500nA
DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
전압 - 수집기 방출기 고장 (최대)	50V