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RN1427TE85LF

제조 업체:	Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
데이터 시트:	RN1427TE85LF
설명:	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
시리즈	-
포장	Tape & Reel (TR)
부품 상태	Active
전원 - 최대	200mW
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
트랜지스터 타입	NPN - Pre-Biased
기본 부품 번호	RN142*
저항기 - 베이스 (R1)	2.2 kOhms
주파수 - 전이	300MHz
공급업체 장치 패키지	S-Mini
저항기 - 이미터 베이스 (R2)	10 kOhms
Vce 채도 (최대) @ Ib, Ic	250mV @ 1mA, 50mA
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대)	800mA
현재 - 컬렉터 컷오프(최대)	500nA
DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce	90 @ 100mA, 1V
전압 - 수집기 방출기 고장 (최대)	50V