RN1306,LF
제조 업체: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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제품 카테고리: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
데이터 시트: | RN1306,LF |
설명: | TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM |
RoHS 상태: | RoHS 준수 |
특성 | 특성 값 |
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제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
제품 카테고리 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
시리즈 | - |
포장 | Digi-Reel® |
부품 상태 | Active |
전원 - 최대 | 100mW |
마운팅 타입 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | SC-70, SOT-323 |
트랜지스터 타입 | NPN - Pre-Biased |
저항기 - 베이스 (R1) | 4.7 kOhms |
주파수 - 전이 | 250MHz |
공급업체 장치 패키지 | USM |
저항기 - 이미터 베이스 (R2) | 47 kOhms |
Vce 채도 (최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) | 100mA |
현재 - 컬렉터 컷오프(최대) | 500nA |
DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
전압 - 수집기 방출기 고장 (최대) | 50V |
재고 592 pcs
굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
최소: 1