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RN1110MFV,L3F
| 제조 업체: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| 제품 카테고리: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| 데이터 시트: | RN1110MFV,L3F |
| 설명: | TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM |
| RoHS 상태: | RoHS 준수 |
| 특성 | 특성 값 |
|---|---|
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 제품 카테고리 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| 시리즈 | - |
| 포장 | Digi-Reel® |
| 부품 상태 | Discontinued at Digi-Key |
| 전원 - 최대 | 150mW |
| 마운팅 타입 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-723 |
| 트랜지스터 타입 | NPN - Pre-Biased |
| 저항기 - 베이스 (R1) | 4.7 kOhms |
| 공급업체 장치 패키지 | VESM |
| Vce 채도 (최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| 전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) | 100mA |
| 현재 - 컬렉터 컷오프(최대) | 100nA (ICBO) |
| DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| 전압 - 수집기 방출기 고장 (최대) | 50V |
재고 94 pcs
| 굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
최소: 1
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