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RN1101CT(TPL3)

제조 업체: Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
데이터 시트: RN1101CT(TPL3)
설명: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
시리즈 -
포장 Tape & Reel (TR)
부품 상태 Obsolete
전원 - 최대 50mW
마운팅 타입 Surface Mount
패키지 / 케이스 SC-101, SOT-883
트랜지스터 타입 NPN - Pre-Biased
저항기 - 베이스 (R1) 4.7 kOhms
공급업체 장치 패키지 CST3
저항기 - 이미터 베이스 (R2) 4.7 kOhms
Vce 채도 (최대) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) 50mA
현재 - 컬렉터 컷오프(최대) 500nA
DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
전압 - 수집기 방출기 고장 (최대) 20V

재고 71 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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최소: 1

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