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HN4C51J(TE85L,F)

제조 업체:	Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
데이터 시트:	HN4C51J(TE85L,F)
설명:	TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
시리즈	-
포장	Digi-Reel®
부품 상태	Active
전원 - 최대	300mW
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	SC-74A, SOT-753
트랜지스터 타입	2 NPN (Dual) Common Base
작동 온도	150°C (TJ)
주파수 - 전이	100MHz
공급업체 장치 패키지	SMV
Vce 채도 (최대) @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대)	100mA
현재 - 컬렉터 컷오프(최대)	100nA (ICBO)
DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 6V
전압 - 수집기 방출기 고장 (최대)	120V