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HN4B01JE(TE85L,F)

제조 업체: Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
데이터 시트: HN4B01JE(TE85L,F)
설명: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
시리즈 -
포장 Digi-Reel®
부품 상태 Active
전원 - 최대 100mW
마운팅 타입 Surface Mount
패키지 / 케이스 SOT-553
트랜지스터 타입 NPN, PNP (Emitter Coupled)
작동 온도 150°C (TJ)
주파수 - 전이 80MHz
공급업체 장치 패키지 ESV
Vce 채도 (최대) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) 150mA
현재 - 컬렉터 컷오프(최대) 100nA (ICBO)
DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 10MA, 100MA
전압 - 수집기 방출기 고장 (최대) 50V

재고 435 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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최소: 1

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