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HN3C51F-BL(TE85L,F

제조 업체: Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
데이터 시트: HN3C51F-BL(TE85L,F
설명: TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
시리즈 -
포장 Tape & Reel (TR)
부품 상태 Obsolete
전원 - 최대 300mW
마운팅 타입 Surface Mount
패키지 / 케이스 SC-74, SOT-457
트랜지스터 타입 2 NPN (Dual)
작동 온도 150°C (TJ)
주파수 - 전이 100MHz
공급업체 장치 패키지 SM6
Vce 채도 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) 100mA
현재 - 컬렉터 컷오프(최대) 100nA (ICBO)
DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 350 @ 2mA, 6V
전압 - 수집기 방출기 고장 (최대) 120V

재고 79 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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