Image is for reference only , details as Specifications

HN1B01FU-Y(L,F,T)

제조 업체:	Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
데이터 시트:	HN1B01FU-Y(L,F,T)
설명:	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
시리즈	-
포장	Digi-Reel®
부품 상태	Discontinued at Digi-Key
전원 - 최대	200mW
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
트랜지스터 타입	NPN, PNP
작동 온도	125°C (TJ)
주파수 - 전이	120MHz
공급업체 장치 패키지	US6
Vce 채도 (최대) @ Ib, Ic	300mV @ 10mA, 100mA
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대)	150mA
현재 - 컬렉터 컷오프(최대)	100nA (ICBO)
DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce	120 @ 2mA, 6V
전압 - 수집기 방출기 고장 (최대)	50V