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BAS316,H3F

제조 업체: Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리: Diodes - Rectifiers - Single
데이터 시트: BAS316,H3F
설명: DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리 Diodes - Rectifiers - Single
속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
시리즈 -
다이오드 타입 Standard
부품 상태 Active
마운팅 타입 Surface Mount
패키지 / 케이스 SC-76, SOD-323
커패시턴스 @ VR, F 0.35pF @ 0V, 1MHz
공급업체 장치 패키지 USC
역복구 시간(trr) 3ns
현재 - 역 누설 @ Vr 200nA @ 80V
전압 - DC 역방향(Vr) (최대) 100V
현재 - 평균 정류(Io) 250mA
작동 온도 - 정션 150°C (Max)
전압 - 앞으로 (Vf) (최대) @ 경우 1.25V @ 150mA

재고 65 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.03 $0.03 $0.03
최소: 1

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