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BAS316,H3F
| 제조 업체: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| 제품 카테고리: | Diodes - Rectifiers - Single |
| 데이터 시트: | BAS316,H3F |
| 설명: | DIODE GEN PURP 100V 250MA USC |
| RoHS 상태: | RoHS 준수 |
| 특성 | 특성 값 |
|---|---|
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 제품 카테고리 | Diodes - Rectifiers - Single |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 타입 | Standard |
| 부품 상태 | Active |
| 마운팅 타입 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SC-76, SOD-323 |
| 커패시턴스 @ VR, F | 0.35pF @ 0V, 1MHz |
| 공급업체 장치 패키지 | USC |
| 역복구 시간(trr) | 3ns |
| 현재 - 역 누설 @ Vr | 200nA @ 80V |
| 전압 - DC 역방향(Vr) (최대) | 100V |
| 현재 - 평균 정류(Io) | 250mA |
| 작동 온도 - 정션 | 150°C (Max) |
| 전압 - 앞으로 (Vf) (최대) @ 경우 | 1.25V @ 150mA |
재고 65 pcs
| 굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.03 | $0.03 | $0.03 |
최소: 1
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