이미지는 참조용으로만 제공되며 제품 사양 참조
2SD2206,T6F(J
| 제조 업체: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| 제품 카테고리: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 데이터 시트: | 2SD2206,T6F(J |
| 설명: | TRANS NPN 2A 100V TO226-3 |
| RoHS 상태: | RoHS 준수 |
| 특성 | 특성 값 |
|---|---|
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 제품 카테고리 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 시리즈 | - |
| 포장 | Bulk |
| 부품 상태 | Obsolete |
| 전원 - 최대 | 900mW |
| 마운팅 타입 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| 트랜지스터 타입 | NPN |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 주파수 - 전이 | 100MHz |
| 공급업체 장치 패키지 | TO-92MOD |
| Vce 채도 (최대) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A |
| 전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) | 2A |
| 현재 - 컬렉터 컷오프(최대) | 10µA (ICBO) |
| DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 2000 @ 1A, 2V |
| 전압 - 수집기 방출기 고장 (최대) | 100V |
재고 93 pcs
| 굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
최소: 1
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