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2SD2206(T6CANO,F,M

제조 업체:	Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
데이터 시트:	2SD2206(T6CANO,F,M
설명:	TRANS NPN 2A 100V TO226-3
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
시리즈	-
포장	Bulk
부품 상태	Obsolete
전원 - 최대	900mW
마운팅 타입	Through Hole
패키지 / 케이스	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
트랜지스터 타입	NPN
작동 온도	150°C (TJ)
주파수 - 전이	100MHz
공급업체 장치 패키지	TO-92MOD
Vce 채도 (최대) @ Ib, Ic	1.5V @ 1mA, 1A
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대)	2A
현재 - 컬렉터 컷오프(최대)	10µA (ICBO)
DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce	2000 @ 1A, 2V
전압 - 수집기 방출기 고장 (최대)	100V