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2SC2235-Y(T6FJT,AF

제조 업체: Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
데이터 시트: 2SC2235-Y(T6FJT,AF
설명: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
시리즈 -
포장 Bulk
부품 상태 Obsolete
전원 - 최대 900mW
마운팅 타입 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 Long Body
트랜지스터 타입 NPN
작동 온도 150°C (TJ)
주파수 - 전이 120MHz
공급업체 장치 패키지 TO-92MOD
Vce 채도 (최대) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) 800mA
현재 - 컬렉터 컷오프(최대) 100nA (ICBO)
DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 80 @ 100mA, 5V
전압 - 수집기 방출기 고장 (최대) 120V

재고 62 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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최소: 1

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