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2SB906-Y(TE16L1,NQ

제조 업체:	Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
데이터 시트:	2SB906-Y(TE16L1,NQ
설명:	TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
시리즈	-
포장	Digi-Reel®
부품 상태	Active
전원 - 최대	1W
마운팅 타입	Surface Mount
패키지 / 케이스	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
트랜지스터 타입	PNP
작동 온도	150°C (TJ)
주파수 - 전이	9MHz
공급업체 장치 패키지	PW-MOLD
Vce 채도 (최대) @ Ib, Ic	1.7V @ 300mA, 3A
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대)	3A
현재 - 컬렉터 컷오프(최대)	100µA (ICBO)
DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce	100 @ 500mA, 5V
전압 - 수집기 방출기 고장 (최대)	60V