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2SA1382,T6MIBF(J

제조 업체: Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
데이터 시트: 2SA1382,T6MIBF(J
설명: TRANS PNP 2A 50V TO226-3
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
제품 카테고리 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
시리즈 -
포장 Bulk
부품 상태 Obsolete
전원 - 최대 900mW
마운팅 타입 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 Long Body
트랜지스터 타입 PNP
작동 온도 150°C (TJ)
주파수 - 전이 110MHz
공급업체 장치 패키지 TO-92MOD
Vce 채도 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 33mA, 1A
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) 2A
현재 - 컬렉터 컷오프(최대) 100nA (ICBO)
DC 전류 게인 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 150 @ 500mA, 2V
전압 - 수집기 방출기 고장 (최대) 50V

재고 64 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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최소: 1

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