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TH58NVG2S3HBAI6

제조 업체: Toshiba Memory
제품 카테고리: USB Flash Drives
데이터 시트: TH58NVG2S3HBAI6
설명: NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
Rohs Details
브랜드 Toshiba Memory
포장 Tray
메모리 크기 4 Gbit
메모리 유형 NAND
하위 범주 Memory & Data Storage
제조업체 Toshiba
조직 512 M x 8
제품 유형 NAND Flash
데이터 버스 너비 8 bit
인터페이스 유형 Parallel
마운팅 스타일 SMD/SMT
패키지 / 케이스 VFBGA-67
제품 카테고리 NAND Flash
수분 민감성 Yes
공급 전압 - 최대 3.6 V
공급 전압 - 최소 2.7 V
팩 수량 210
최대 작동 온도 + 85 C
최소 작동 온도 - 40 C

재고 75 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.10 $4.02 $3.94
최소: 1

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