이미지는 참조용으로만 제공되며 제품 사양 참조
TC58NYG1S3EBAI5
| 제조 업체: | Toshiba Memory |
|---|---|
| 제품 카테고리: | USB Flash Drives |
| 데이터 시트: | TC58NYG1S3EBAI5 |
| 설명: | NAND Flash 1.8V 2Gb 43nm SLC NAND (EEPROM) |
| RoHS 상태: | RoHS 준수 |
| 특성 | 특성 값 |
|---|---|
| Rohs | Details |
| 브랜드 | Toshiba Memory |
| 속도 | 25 ns |
| 제품 | NAND Flash |
| 포장 | Tray |
| 메모리 크기 | 2 Gbit |
| 메모리 유형 | NAND |
| 하위 범주 | Memory & Data Storage |
| 타이밍 유형 | Synchronous |
| 아키텍처 | Block Erase |
| 제조업체 | Toshiba |
| 조직 | 256 M x 8 |
| 제품 유형 | NAND Flash |
| 데이터 버스 너비 | 8 bit |
| 인터페이스 유형 | Parallel |
| 마운팅 스타일 | SMD/SMT |
| 패키지 / 케이스 | TFBGA-63 |
| 제품 카테고리 | NAND Flash |
| 수분 민감성 | Yes |
| 공급 전류 - 최대 | 30 mA |
| 공급 전압 - 최대 | 1.95 V |
| 공급 전압 - 최소 | 1.7 V |
| 팩 수량 | 180 |
| 최대 클럭 주파수 | - |
| 최대 작동 온도 | + 85 C |
| 최소 작동 온도 | - 40 C |
재고 60 pcs
| 굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
최소: 1
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