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TH58NYG2S3HBAI4
| 제조 업체: | Toshiba Memory America, Inc. |
|---|---|
| 제품 카테고리: | Memory |
| 데이터 시트: | TH58NYG2S3HBAI4 |
| 설명: | 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V |
| RoHS 상태: | RoHS 준수 |
| 특성 | 특성 값 |
|---|---|
| 제조업체 | Toshiba Memory America, Inc. |
| 제품 카테고리 | Memory |
| 시리즈 | - |
| 포장 | Tray |
| 기술 | FLASH - NAND (SLC) |
| 메모리 크기 | 4Gb (512M x 8) |
| 메모리 유형 | Non-Volatile |
| 부품 상태 | Active |
| 메모리 형식 | FLASH |
| 마운팅 타입 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 63-BGA |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 전압 - 공급 | 1.7V ~ 1.95V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 공급업체 장치 패키지 | 63-BGA (9x11) |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지 | 25ns |
재고 210 pcs
| 굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $6.50 | $6.37 | $6.24 |
최소: 1
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