TC58BVG1S3HBAI6
제조 업체: | Toshiba Memory America, Inc. |
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제품 카테고리: | Memory |
데이터 시트: | TC58BVG1S3HBAI6 |
설명: | IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA |
RoHS 상태: | RoHS 준수 |
특성 | 특성 값 |
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제조업체 | Toshiba Memory America, Inc. |
제품 카테고리 | Memory |
시리즈 | Benand™ |
포장 | Tray |
기술 | FLASH - NAND (SLC) |
액세스 시간 | 25ns |
메모리 크기 | 2Gb (256M x 8) |
메모리 유형 | Non-Volatile |
부품 상태 | Active |
메모리 형식 | FLASH |
마운팅 타입 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | 67-VFBGA |
메모리 인터페이스 | Parallel |
전압 - 공급 | 2.7V ~ 3.6V |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
공급업체 장치 패키지 | 67-VFBGA (6.5x8) |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지 | 25ns |
재고 23 pcs
굴절 가격 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$3.41 | $3.34 | $3.27 |
최소: 1