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TC58BVG1S3HBAI6

제조 업체: Toshiba Memory America, Inc.
제품 카테고리: Memory
데이터 시트: TC58BVG1S3HBAI6
설명: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
RoHS 상태: RoHS 준수
특성 특성 값
제조업체 Toshiba Memory America, Inc.
제품 카테고리 Memory
시리즈 Benand™
포장 Tray
기술 FLASH - NAND (SLC)
액세스 시간 25ns
메모리 크기 2Gb (256M x 8)
메모리 유형 Non-Volatile
부품 상태 Active
메모리 형식 FLASH
마운팅 타입 Surface Mount
패키지 / 케이스 67-VFBGA
메모리 인터페이스 Parallel
전압 - 공급 2.7V ~ 3.6V
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
공급업체 장치 패키지 67-VFBGA (6.5x8)
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지 25ns

재고 23 pcs

굴절 가격 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.41 $3.34 $3.27
최소: 1

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