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SCTW90N65G2V

제조 업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
데이터 시트:	SCTW90N65G2V
설명:	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
RoHS 상태:	RoHS 준수

특성	특성 값
제조업체	STMicroelectronics
제품 카테고리	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
시리즈	-
FET 유형	N-Channel
Vgs (최대)	+22V, -10V
기술	SiCFET (Silicon Carbide)
FET 기능	-
부품 상태	Active
마운팅 타입	Through Hole
패키지 / 케이스	TO-247-3
기본 부품 번호	SCTW90
Vgs(th) (최대) @ Id	5V @ 250µA
작동 온도	-55°C ~ 200°C (TJ)
RDS 온 (최대) @ Id, Vgs	25mOhm @ 50A, 18V
전원 소멸 (최대)	390W (Tc)
공급업체 장치 패키지	HiP247™
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	157nC @ 18V
소스 전압(Vds)으로 의회비	650V
입력 커패시턴스 (시스) (최대) @ Vds	3300pF @ 400V
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 °C	90A (Tc)
구동 전압(최대 RDS 켜기, 최소 RDS 켜기)	18V